Xinchen Semiconductor novi apparatum epitaxialem inicium nuntiavit, omnia systemata materialia obtegens

Xinchen Semiconductor nuntiavit suum novum apparatum epitaxialem publice in productionem redactum esse, tegentem gallium arsenide (GaAs) et indium phosphidum (InP) chip optica quaternum composita systemata omnia materialia. Nunc, societas massam productionis epitaxialis lagani in necem ab 760nm ad 1700nm feliciter confecit, et epitaxialis uniformitas intra 2nm extra centrum manentem necem moderatur. Praeterea, chip laser lagana epitaxialis cum aequalitatibus typicis, ut 808, 850, 905, 940, 1064, 1550, et 1654nm, in linearum productione independentium pro VCSEL vel DFB astulae feliciter comprobatae sunt.