芯辰半導體成功投產新型外延設備

芯辰半導體（蘇州）有限公司近期成功投產了新的外延設備，涵蓋了砷化鎵（GaAs）和磷化銦（InP）光晶片四元化合物全材料體系。該公司已經實現了波長範圍760nm至1700nm的外延片量產，並且外延均勻性達到了激射中心波長外2nm以內。典型的雷射晶片外延片，例如808、850、905、940、1064、1550、1654nm，已經在自己的​​產線上進行了VCSEL或DFB晶片驗證。