Xinchen Semiconductor hat neue Epitaxieanlagen erfolgreich in Produktion genommen

Xinchen Semiconductor (Suzhou) Co., Ltd. hat kürzlich erfolgreich neue Epitaxieanlagen in Betrieb genommen, die optische quaternäre Verbindungssysteme aus Galliumarsenid (GaAs) und Indiumphosphid (InP) abdecken. Das Unternehmen hat die Massenproduktion von epitaktischen Wafern im Wellenlängenbereich von 760 nm bis 1700 nm erreicht, und die epitaktische Gleichmäßigkeit liegt innerhalb von 2 nm außerhalb der Wellenlänge des Laserzentrums. Typische Epitaxiewafer für Laserchips wie 808, 850, 905, 940, 1064, 1550 und 1654 nm wurden von VCSEL- oder DFB-Chips in ihren eigenen Produktionslinien verifiziert.