Xinchen Semiconductor colocou em produção com sucesso novo equipamento epitaxial

colocou recentemente em produção com sucesso novos equipamentos epitaxiais, cobrindo sistemas de todos os materiais de arsenieto de gálio (GaAs) e fosfeto de índio (InP). A empresa alcançou a produção em massa de wafers epitaxiais na faixa de comprimento de onda de 760 nm a 1700 nm, e a uniformidade epitaxial atingiu 2 nm fora do comprimento de onda do centro do laser. Wafers epitaxiais de chip de laser típicos, como 808, 850, 905, 940, 1064, 1550 e 1654 nm, foram verificados por chips VCSEL ou DFB em suas próprias linhas de produção.