D'éirigh le Xinchen Semiconductor trealamh epitaxial nua a tháirgeadh

Le déanaí d'éirigh le Xinchen Semiconductor (Suzhou) Co., Ltd trealamh epitaxial nua a tháirgeadh, a chlúdaíonn córais uile-ábhar cumaisc cheatharthacha sliseanna optúla arsainíd ghailliam (GaAs) agus fosfíd indium (InP). Tá mais-tháirgeadh sliseog epitaxial bainte amach ag an gcuideachta sa raon tonnfhad ó 760nm go 1700nm, agus tá an aonfhoirmeacht epitaxial bainte amach laistigh de 2nm lasmuigh de thonnfhad an ionaid léasair. Tá sceallóga epitaxial sliseanna léasair tipiciúla, mar shampla 808, 850, 905, 940, 1064, 1550, agus 1654nm, fíoraithe ag sliseanna VCSEL nó DFB ina línte táirgeachta féin.