Xinchen Semiconductor, yeni epitaksiyel ekipmanı başarıyla üretime soktu

Xinchen Semiconductor (Suzhou) Co., Ltd. yakın zamanda galyum arsenit (GaAs) ve indiyum fosfit (InP) optik çip dörtlü bileşik tüm malzeme sistemlerini kapsayan yeni epitaksiyel ekipmanı başarıyla üretime geçirdi. Şirket, 760 nm'den 1700 nm'ye kadar dalga boyu aralığında epitaksiyel levhaların seri üretimini gerçekleştirdi ve epitaksiyel tekdüzelik, lazer merkezi dalga boyunun dışında 2 nm'ye ulaştı. 808, 850, 905, 940, 1064, 1550 ve 1654nm gibi tipik lazer çip epitaksiyel levhaları, kendi üretim hatlarında VCSEL veya DFB çipleri tarafından doğrulanmıştır.