Xinchen Semiconductor a pus în producție cu succes un nou echipament epitaxial

Xinchen Semiconductor (Suzhou) Co., Ltd. a pus recent în producție cu succes noi echipamente epitaxiale, care acoperă arseniura de galiu (GaAs) și fosfură de indiu (InP) sisteme cuaternare cu cip cuaternar compus din toate materialele. Compania a realizat o producție în masă de plachete epitaxiale în intervalul de lungimi de undă de la 760 nm la 1700 nm, iar uniformitatea epitaxială a ajuns la 2 nm în afara lungimii de undă a centrului laser. Plachetele epitaxiale tipice cu cip laser, cum ar fi 808, 850, 905, 940, 1064, 1550 și 1654 nm, au fost verificate de cipurile VCSEL sau DFB în propriile linii de producție.