Xinchen Semiconductor úspešne uviedol do výroby nové epitaxné zariadenie

Spoločnosť Xinchen Semiconductor (Suzhou) Co., Ltd. nedávno úspešne uviedla do výroby nové epitaxné zariadenie, ktoré pokrýva celomateriálové systémy s kvartérnymi zlúčeninami optických čipov arzenidu gália (GaAs) a fosfidu india (InP). Spoločnosť dosiahla hromadnú výrobu epitaxných plátkov v rozsahu vlnových dĺžok od 760 nm do 1700 nm a epitaxiálna uniformita dosiahla v rámci 2 nm mimo vlnovej dĺžky laserového centra. Typické epitaxné plátky laserového čipu, ako napríklad 808, 850, 905, 940, 1064, 1550 a 1654 nm, boli overené čipmi VCSEL alebo DFB na ich vlastných výrobných linkách.