A Xinchen Semiconductor sikeresen üzembe helyezte az új epitaxiális berendezést

A Xinchen Semiconductor (Suzhou) Co., Ltd. a közelmúltban sikeresen üzembe helyezett új epitaxiális berendezéseket, amelyek gallium-arzenid (GaAs) és indium-foszfid (InP) optikai chipből álló, kvaterner összetett, teljes anyagú rendszereket fednek le. A vállalat epitaxiális lapkák tömeggyártását érte el a 760 nm és 1700 nm közötti hullámhossz-tartományban, és az epitaxiális egyenletesség elérte a 2 nm-en belül a lézerközpont hullámhosszán kívül. A tipikus lézerchip epitaxiális lapkákat, mint például a 808, 850, 905, 940, 1064, 1550 és 1654 nm, a VCSEL vagy a DFB chipek igazolták saját gyártósoraikon.