Компанія Xinchen Semiconductor успішно запустила у виробництво нове епітаксіальне обладнання

Компанія Xinchen Semiconductor (Suzhou) Co., Ltd. нещодавно успішно запустила у виробництво нове епітаксійне обладнання, що охоплює системи оптичних чіпів з арсеніду галію (GaAs) і фосфіду індію (InP), що складаються з четвертинних компонентів. Компанія досягла масового виробництва епітаксіальних пластин у діапазоні довжин хвиль від 760 нм до 1700 нм, а епітаксіальна однорідність досягла в межах 2 нм за межами довжини хвилі лазера. Типові епітаксіальні пластини лазерного чіпа, такі як 808, 850, 905, 940, 1064, 1550 і 1654 нм, були перевірені мікросхемами VCSEL або DFB на їхніх власних виробничих лініях.