Xinchen Semiconductor sėkmingai pradėjo gaminti naują epitaksinę įrangą

„Xinchen Semiconductor (Suzhou) Co., Ltd.“ neseniai sėkmingai pradėjo gaminti naują epitaksinę įrangą, apimančią galio arsenido (GaAs) ir indžio fosfido (InP) optinio lusto ketvirtines sudėtines visų medžiagų sistemas. Bendrovė pasiekė masinę epitaksinių plokštelių gamybą, kurių bangos ilgis yra nuo 760 nm iki 1700 nm, o epitaksinis vienodumas pasiekė 2 nm už lazerio centro bangos ilgio. Įprastas lazerinių lustų epitaksines plokšteles, tokias kaip 808, 850, 905, 940, 1064, 1550 ir 1654 nm, savo gamybos linijose patikrino VCSEL arba DFB lustai.