Xinchen Semiconductor futi me sukses në prodhim pajisje të reja epitaksiale

Xinchen Semiconductor (Suzhou) Co., Ltd. kohët e fundit ka vënë me sukses në prodhim pajisje të reja epitaksiale, që mbulojnë sistemet e të gjitha materialeve me përbërje kuaternare të çipit optik të arsenidit të galiumit (GaAs) dhe fosfidit indium (InP). Kompania ka arritur prodhimin masiv të vaferave epitaksiale në rangun e gjatësisë së valës nga 760 nm në 1700 nm, dhe uniformiteti epitaksial ka arritur brenda 2 nm jashtë gjatësisë së valës së qendrës lasing. Vaferat tipike epitaksiale me çip lazer, si 808, 850, 905, 940, 1064, 1550 dhe 1654 nm, janë verifikuar nga çipat VCSEL ose DFB në linjat e tyre të prodhimit.