Xinchen Semiconductor ประสบความสำเร็จในการผลิตอุปกรณ์เอพิเทเชียลใหม่

เมื่อเร็วๆ นี้ Xinchen Semiconductor (Suzhou) Co., Ltd. ประสบความสำเร็จในการผลิตอุปกรณ์อีพิเทกเซียลใหม่ ซึ่งครอบคลุมถึงระบบวัสดุทั้งหมดแบบแกลเลียมอาร์เซไนด์ (GaAs) และอินเดียมฟอสไฟด์ (InP) บริษัทประสบความสำเร็จในการผลิตจำนวนมากของแผ่นเวเฟอร์แบบเอปิเทกเซียลในช่วงความยาวคลื่นตั้งแต่ 760 นาโนเมตรถึง 1700 นาโนเมตร และความสม่ำเสมอของเอพิแทกเซียลนั้นสูงถึงภายใน 2 นาโนเมตรนอกความยาวคลื่นของศูนย์กลางการเลเซอร์ เวเฟอร์ชิปเลเซอร์เอพิเทเชียลทั่วไป เช่น 808, 850, 905, 940, 1064, 1550 และ 1654nm ได้รับการตรวจสอบโดยชิป VCSEL หรือ DFB ในสายการผลิตของตนเอง