Pengenalan kepada UnitedSiC
2021
JFET
Schott
SiC FET
United SiC
transistor
tinggi
kuasa
asas
asas
asas
elektrik
diod
tahun
SiC
kecekapan
mengembang
2024-12-26 19:59
277
UnitedSiC diasaskan pada tahun 1999 untuk menggunakan transistor SiC dan penyelesaian diod untuk aplikasi penukaran kuasa kecekapan tinggi. Pada November 2021, Qorvo telah memperoleh Syarikat United SiC dengan tujuan mengembangkan lagi portfolio produknya dengan menyerap teknologi peranti diod SiC FET, JFET dan Schottky untuk meningkatkan pengaruhnya dalam bidang seperti kenderaan elektrik.
