三星電子成功開發400層堆疊NAND Flash快閃記憶體技術

根據韓國媒體通報，三星電子在其半導體研究所中已順利完成400層堆疊NAND Flash快閃記憶體技術的開發。此項技術已在平澤園區一號工廠進行大規模生產轉移。此技術的發展將使三星在NAND Flash技術上保持領先地位，領先已宣布計畫量產321層NAND Flash的SK海力​​士。三星電子計畫在2025年2月的國際固態電路會議上詳細介紹其1Tb容量400層堆疊TLC NAND Flash閃存，並預計在2025年下半年開始量產。