삼성전자, 400단 적층 낸드플래시 메모리 기술 개발 성공

국내 언론 보도에 따르면 삼성전자는 반도체연구소에서 400단 적층 낸드플래시 메모리 기술 개발을 성공적으로 마쳤다. 이 기술을 평택파크 1공장에 대규모 생산으로 이전하였습니다. 이번 기술 개발로 삼성전자는 321단 낸드플래시 양산 계획을 밝힌 SK하이닉스를 제치고 낸드플래시 기술 선두 자리를 지킬 수 있게 됐다. 삼성전자는 2025년 2월 국제반도체회로컨퍼런스(International Solid State Circuit Conference)에서 1TB 용량 400단 적층 TLC 낸드플래시 메모리를 구체적으로 선보일 예정이며, 2025년 하반기 양산을 시작할 것으로 예상된다.