Samsung Electronics нь 400 давхар давхарласан NAND Flash санах ойн технологийг амжилттай хөгжүүлсэн

Солонгосын хэвлэл мэдээллийн хэрэгслүүдийн мэдээлснээр Samsung Electronics хагас дамжуулагчийн судалгааны хүрээлэндээ 400 давхар давхарласан NAND Flash санах ойн технологийг амжилттай хөгжүүлж дуусгасан байна. Энэхүү технологи нь Пёнтэк паркийн 1-р үйлдвэрт томоохон хэмжээний үйлдвэрлэлд шилжсэн. Энэхүү технологийг хөгжүүлснээр Samsung компани 321 давхар NAND Flash-ийг бөөнөөр үйлдвэрлэх төлөвлөгөөгөө зарласан SK Hynix-ийн өмнө NAND Flash технологийн тэргүүлэх байр сууриа хадгалах боломжийг олгоно. Samsung Electronics нь 2025 оны 2-р сард болох Олон улсын хатуу биетийн хэлхээний бага хурлын үеэр 1Тб багтаамжтай 400 давхар давхарласан TLC NAND Flash санах ойг дэлгэрэнгүй танилцуулахаар төлөвлөж байгаа бөгөөд 2025 оны хоёрдугаар хагаст бөөнөөр нь үйлдвэрлэж эхлэх төлөвтэй байна.