Samsung Electronics hat erfolgreich die 400-Layer-Stacked-NAND-Flash-Speichertechnologie entwickelt

Koreanischen Medienberichten zufolge hat Samsung Electronics in seinem Halbleiterforschungsinstitut die Entwicklung der 400-schichtigen gestapelten NAND-Flash-Speichertechnologie erfolgreich abgeschlossen. Diese Technologie wurde in der Pyeongtaek Park Factory Nr. 1 auf die Großserienproduktion übertragen. Die Entwicklung dieser Technologie wird es Samsung ermöglichen, seine führende Position in der NAND-Flash-Technologie zu behaupten, vor SK Hynix, das Pläne zur Massenproduktion von 321-Schicht-NAND-Flash angekündigt hat. Samsung Electronics plant, seinen 400-Layer-Stacked-TLC-NAND-Flash-Speicher mit einer Kapazität von 1 TB auf der International Solid-State Circuit Conference im Februar 2025 im Detail vorzustellen und wird voraussichtlich in der zweiten Hälfte des Jahres 2025 mit der Massenproduktion beginnen.