Samsung Electronics þróaði með góðum árangri 400 laga staflað NAND Flash minni tækni

Samkvæmt fréttum í kóreskum fjölmiðlum hefur Samsung Electronics lokið við þróun 400 laga staflaðrar NAND Flash minni tækni í hálfleiðara rannsóknarstofnun sinni. Þessi tækni hefur verið yfirfærð í stórframleiðslu í Pyeongtaek Park verksmiðjunni nr. Þróun þessarar tækni mun gera Samsung kleift að halda leiðandi stöðu sinni í NAND Flash tækni, á undan SK Hynix, sem hefur tilkynnt áform um að fjöldaframleiða 321 lags NAND Flash. Samsung Electronics ætlar að kynna 1Tb afkastagetu 400 laga staflað TLC NAND Flash minni í smáatriðum á International Solid-State Circuit Conference í febrúar 2025 og er búist við að fjöldaframleiðsla hefjist á seinni hluta ársins 2025.