Samsung Electronics desarrolló con éxito la tecnología de memoria Flash NAND apilada de 400 capas

Según informes de los medios coreanos, Samsung Electronics ha completado con éxito el desarrollo de la tecnología de memoria Flash NAND apilada de 400 capas en su instituto de investigación de semiconductores. Esta tecnología se ha transferido a la producción a gran escala en la fábrica número 1 del parque Pyeongtaek. El desarrollo de esta tecnología permitirá a Samsung mantener su posición de liderazgo en tecnología NAND Flash, por delante de SK Hynix, que ha anunciado planes para producir en masa NAND Flash de 321 capas. Samsung Electronics planea presentar en detalle su memoria Flash TLC NAND apilada de 400 capas y 1 TB de capacidad en la Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido en febrero de 2025, y se espera que comience la producción en masa en la segunda mitad de 2025.