Η Samsung Electronics ανέπτυξε με επιτυχία την τεχνολογία μνήμης Flash NAND στοιβαγμένης 400 επιπέδων

Σύμφωνα με δημοσιεύματα κορεατικών μέσων ενημέρωσης, η Samsung Electronics ολοκλήρωσε με επιτυχία την ανάπτυξη της τεχνολογίας μνήμης NAND Flash 400 επιπέδων στοιβαγμένης στο ερευνητικό της ινστιτούτο ημιαγωγών. Αυτή η τεχνολογία έχει μεταφερθεί σε μεγάλης κλίμακας παραγωγή στο Pyeongtaek Park Factory No. 1. Η ανάπτυξη αυτής της τεχνολογίας θα επιτρέψει στη Samsung να διατηρήσει την ηγετική της θέση στην τεχνολογία NAND Flash, μπροστά από την SK Hynix, η οποία ανακοίνωσε σχέδια για μαζική παραγωγή NAND Flash 321 επιπέδων. Η Samsung Electronics σχεδιάζει να παρουσιάσει αναλυτικά τη στοιβαγμένη μνήμη Flash TLC NAND χωρητικότητας 1Tb χωρητικότητας 400 επιπέδων στο Διεθνές Συνέδριο Solid-State Circuit τον Φεβρουάριο του 2025 και αναμένεται να ξεκινήσει τη μαζική παραγωγή το δεύτερο εξάμηνο του 2025.