Компания Samsung Electronics успешно разработала технологию флэш-памяти NAND с 400 слоями

По сообщениям корейских СМИ, компания Samsung Electronics успешно завершила разработку технологии 400-слойной многослойной флэш-памяти NAND в своем научно-исследовательском институте полупроводников. Эта технология передана в крупносерийное производство на заводе №1 «Пхёнтэк Парк». Развитие этой технологии позволит Samsung сохранить лидирующие позиции в области технологии NAND Flash, опередив SK Hynix, которая объявила о планах массового производства 321-слойной NAND Flash. Samsung Electronics планирует подробно представить свою 400-слойную многослойную флэш-память TLC NAND емкостью 1 ТБ на Международной конференции по твердотельным схемам в феврале 2025 года и, как ожидается, начнет массовое производство во второй половине 2025 года.