Samsung Electronics, 400 katmanlı yığınlanmış NAND Flash bellek teknolojisini başarıyla geliştirdi

Kore basınında çıkan haberlere göre Samsung Electronics, yarı iletken araştırma enstitüsünde 400 katmanlı yığılmış NAND Flash bellek teknolojisinin geliştirilmesini başarıyla tamamladı. Bu teknoloji, Pyeongtaek Park 1 Nolu Fabrikasında büyük ölçekli üretime aktarıldı. Bu teknolojinin geliştirilmesi, Samsung'un, 321 katmanlı NAND Flash'ı seri üretmeyi planladığını açıklayan SK Hynix'in önünde, NAND Flash teknolojisindeki lider konumunu korumasına olanak tanıyacak. Samsung Electronics, 1 TB kapasiteli 400 katmanlı yığınlanmış TLC NAND Flash belleğini Şubat 2025'te Uluslararası Katı Hal Devre Konferansı'nda ayrıntılı olarak tanıtmayı planlıyor ve 2025 yılının ikinci yarısında seri üretime geçmesi bekleniyor.