Samsung Electronics je uspešno razvil tehnologijo 400-slojnega pomnilnika NAND Flash

Po poročanju korejskih medijev je Samsung Electronics v svojem raziskovalnem inštitutu za polprevodnike uspešno zaključil razvoj 400-slojne tehnologije NAND Flash pomnilnika. Ta tehnologija je bila prenesena v obsežno proizvodnjo v tovarni št. 1 v Pyeongtaek Parku. Razvoj te tehnologije bo Samsungu omogočil ohranitev vodilnega položaja v tehnologiji NAND Flash, pred SK Hynixom, ki je objavil načrte za množično proizvodnjo 321-slojnega NAND Flasha. Samsung Electronics načrtuje, da bo svoj 400-plastni zloženi TLC NAND Flash pomnilnik s kapaciteto 1 Tb podrobno predstavil na mednarodni konferenci o polprevodniških vezjih februarja 2025, množično proizvodnjo pa naj bi začel v drugi polovici leta 2025.