Firma Samsung Electronics z sukcesem opracowała technologię 400-warstwowej pamięci NAND Flash

Według doniesień koreańskich mediów firma Samsung Electronics pomyślnie zakończyła prace nad technologią 400-warstwowej pamięci NAND Flash w swoim instytucie badawczym zajmującym się półprzewodnikami. Technologia ta została przeniesiona do produkcji na dużą skalę w fabryce nr 1 w Pyeongtaek Park. Rozwój tej technologii pozwoli Samsungowi utrzymać wiodącą pozycję w technologii NAND Flash, wyprzedzając SK Hynix, który ogłosił plany masowej produkcji 321-warstwowej pamięci NAND Flash. Firma Samsung Electronics planuje szczegółowo przedstawić swoją 400-warstwową pamięć TLC NAND Flash o pojemności 1 TB na konferencji International Solid-State Circuit Conference w lutym 2025 r., a rozpoczęcie masowej produkcji ma nastąpić w drugiej połowie 2025 r.