Spoločnosť Samsung Electronics úspešne vyvinula 400-vrstvovú technológiu NAND Flash pamäte

Podľa správ kórejských médií spoločnosť Samsung Electronics úspešne dokončila vývoj 400-vrstvovej technológie NAND Flash pamäte vo svojom ústave pre výskum polovodičov. Táto technológia bola prenesená do veľkovýroby v Pyeongtaek Park Factory č.1. Vývoj tejto technológie umožní Samsungu udržať si vedúcu pozíciu v technológii NAND Flash pred SK Hynix, ktorý oznámil plány na masovú výrobu 321-vrstvových NAND Flash. Spoločnosť Samsung Electronics plánuje podrobne predstaviť svoju 400-vrstvovú TLC NAND Flash pamäť s kapacitou 1 TB na medzinárodnej konferencii Solid-State Circuit vo februári 2025 a očakáva sa, že začne sériovú výrobu v druhej polovici roku 2025.