Společnost Samsung Electronics úspěšně vyvinula technologii 400vrstvých skládaných pamětí NAND Flash

Podle zpráv korejských médií společnost Samsung Electronics úspěšně dokončila vývoj technologie pamětí NAND Flash se 400 vrstvami ve svém výzkumném ústavu pro polovodiče. Tato technologie byla převedena do velkovýroby v Pyeongtaek Park Factory č. 1. Vývoj této technologie umožní Samsungu udržet si vedoucí pozici v technologii NAND Flash před SK Hynix, který oznámil plány na hromadnou výrobu 321vrstvých NAND Flash. Společnost Samsung Electronics plánuje podrobně představit svou 400vrstvou TLC NAND Flash paměť o kapacitě 1 TB na mezinárodní konferenci Solid-State Circuit v únoru 2025 a očekává se, že její sériová výroba bude zahájena v druhé polovině roku 2025.