A Samsung Electronics sikeresen fejlesztette ki a 400 rétegű halmozott NAND Flash memória technológiát

Koreai sajtóértesülések szerint a Samsung Electronics sikeresen befejezte a 400 rétegű, egymásra helyezett NAND Flash memória technológia fejlesztését félvezetőkutató intézetében. Ezt a technológiát a Pyeongtaek Park 1. számú gyárában nagyüzemi gyártásba helyezték át. Ennek a technológiának a fejlesztése lehetővé teszi a Samsung számára, hogy megőrizze vezető pozícióját a NAND Flash technológia terén, megelőzve az SK Hynixet, amely bejelentette, hogy 321 rétegű NAND Flash sorozatgyártását tervezi. A Samsung Electronics azt tervezi, hogy a 2025. februári Nemzetközi Szilárdtest-áramköri Konferencián részletesen bemutatja 1 Tb kapacitású, 400 rétegű, egymásra helyezett TLC NAND Flash memóriáját, és várhatóan 2025 második felében kezdi meg a tömeggyártást.