Samsung Electronics uspješno je razvio 400-slojnu NAND Flash memorijsku tehnologiju

Prema izvješćima korejskih medija, Samsung Electronics je uspješno završio razvoj 400-slojne naslagane NAND Flash memorijske tehnologije u svom institutu za istraživanje poluvodiča. Ova je tehnologija prebačena u veliku proizvodnju u tvornici br. 1 Pyeongtaek Parka. Razvoj ove tehnologije omogućit će Samsungu da zadrži vodeću poziciju u NAND Flash tehnologiji, ispred SK Hynixa, koji je najavio planove za masovnu proizvodnju 321-slojnog NAND Flasha. Samsung Electronics planira detaljno predstaviti svoju 400-slojnu složenu TLC NAND Flash memoriju kapaciteta 1 Tb na Međunarodnoj konferenciji o sklopovima čvrstog stanja u veljači 2025., a očekuje se da će započeti masovnu proizvodnju u drugoj polovici 2025.