Samsung Electronics သည် 400-layer stacked NAND Flash memory နည်းပညာကို အောင်မြင်စွာ တီထွင်ခဲ့သည်။

ကိုရီးယားမီဒီယာများ၏ဖော်ပြချက်အရ Samsung Electronics သည် ၎င်း၏တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးပစ္စည်းသုတေသနအင်စတီကျုတွင် အလွှာပေါင်း 400- stacked NAND Flash memory နည်းပညာကို အောင်မြင်စွာပြုလုပ်နိုင်ခဲ့ကြောင်း သိရသည်။ ဤနည်းပညာကို Pyeongtaek Park စက်ရုံ အမှတ် ၁ တွင် အကြီးစားထုတ်လုပ်မှုသို့ လွှဲပြောင်းထားပါသည်။ ဤနည်းပညာ၏ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်မှုသည် 321-layer NAND Flash ကိုအစုလိုက်အပြုံလိုက်ထုတ်လုပ်မည့်အစီအစဉ်ကိုကြေငြာထားသည့် SK Hynix ထက် Samsung ၏ NAND Flash နည်းပညာတွင်ထိပ်တန်းနေရာကိုဆက်လက်ထိန်းသိမ်းထားနိုင်စေမည်ဖြစ်သည်။ Samsung Electronics သည် 2025 ခုနှစ် ဖေဖော်ဝါရီလတွင် International Solid-State Circuit Conference တွင် ၎င်း၏ 1Tb စွမ်းရည် 400-layer stacked TLC NAND Flash memory ကို မိတ်ဆက်ရန် စီစဉ်နေပြီး 2025 ဒုတိယနှစ်ဝက်တွင် အစုလိုက်အပြုံလိုက် ထုတ်လုပ်မှုကို စတင်ရန် မျှော်လင့်ထားသည်။