सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने 400-लेयर स्टैक्ड NAND फ्लैश मेमोरी तकनीक सफलतापूर्वक विकसित की है

कोरियाई मीडिया रिपोर्टों के अनुसार, सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने अपने सेमीकंडक्टर अनुसंधान संस्थान में 400-लेयर स्टैक्ड NAND फ्लैश मेमोरी तकनीक का विकास सफलतापूर्वक पूरा कर लिया है। इस तकनीक को प्योंगटेक पार्क फैक्ट्री नंबर 1 में बड़े पैमाने पर उत्पादन के लिए स्थानांतरित कर दिया गया है। इस तकनीक के विकास से सैमसंग को एसके हाइनिक्स से आगे NAND फ्लैश तकनीक में अपनी अग्रणी स्थिति बनाए रखने में मदद मिलेगी, जिसने 321-लेयर NAND फ्लैश का बड़े पैमाने पर उत्पादन करने की योजना की घोषणा की है। सैमसंग इलेक्ट्रॉनिक्स ने फरवरी 2025 में अंतर्राष्ट्रीय सॉलिड-स्टेट सर्किट कॉन्फ्रेंस में अपनी 1Tb क्षमता वाली 400-लेयर स्टैक्ड TLC NAND फ्लैश मेमोरी को विस्तार से पेश करने की योजना बनाई है, और 2025 की दूसरी छमाही में बड़े पैमाने पर उत्पादन शुरू करने की उम्मीद है।