Samsung Electronics phát triển thành công công nghệ bộ nhớ NAND Flash xếp chồng 400 lớp

Theo báo chí Hàn Quốc đưa tin, Samsung Electronics đã hoàn thành thành công việc phát triển công nghệ bộ nhớ NAND Flash xếp chồng 400 lớp tại viện nghiên cứu bán dẫn của mình. Công nghệ này đã được chuyển giao sản xuất quy mô lớn tại Nhà máy Pyeongtaek Park số 1. Sự phát triển của công nghệ này sẽ cho phép Samsung duy trì vị trí dẫn đầu về công nghệ NAND Flash, trước SK Hynix, hãng đã công bố kế hoạch sản xuất hàng loạt NAND Flash 321 lớp. Samsung Electronics có kế hoạch giới thiệu chi tiết bộ nhớ TLC NAND Flash xếp chồng 400 lớp dung lượng 1Tb tại Hội nghị Mạch thể rắn Quốc tế vào tháng 2 năm 2025 và dự kiến ​​sẽ bắt đầu sản xuất hàng loạt vào nửa cuối năm 2025.