Samsung Electronics berhasil mengembangkan teknologi memori Flash NAND bertumpuk 400 lapis

Menurut laporan media Korea, Samsung Electronics telah berhasil menyelesaikan pengembangan teknologi memori Flash NAND bertumpuk 400 lapis di lembaga penelitian semikonduktornya. Teknologi ini telah ditransfer ke produksi skala besar di Pabrik Pyeongtaek Park No.1. Perkembangan teknologi ini akan memungkinkan Samsung untuk mempertahankan posisi terdepan dalam teknologi NAND Flash, mengungguli SK Hynix, yang telah mengumumkan rencana untuk memproduksi NAND Flash 321-lapis secara massal. Samsung Electronics berencana untuk memperkenalkan memori Flash TLC NAND tumpuk 400 lapis berkapasitas 1Tb secara rinci pada Konferensi Sirkuit Solid-State Internasional pada bulan Februari 2025, dan diperkirakan akan memulai produksi massal pada paruh kedua tahun 2025.