Samsung Electronics সফলভাবে 400-স্তরযুক্ত NAND ফ্ল্যাশ মেমরি প্রযুক্তি তৈরি করেছে

কোরিয়ান মিডিয়া রিপোর্ট অনুসারে, স্যামসাং ইলেকট্রনিক্স সফলভাবে তার সেমিকন্ডাক্টর গবেষণা ইনস্টিটিউটে 400-স্তরযুক্ত NAND ফ্ল্যাশ মেমরি প্রযুক্তির বিকাশ সম্পন্ন করেছে। এই প্রযুক্তি Pyeongtaek পার্ক কারখানা নং 1 এ বড় আকারের উৎপাদনে স্থানান্তরিত করা হয়েছে। এই প্রযুক্তির বিকাশ স্যামসাংকে NAND ফ্ল্যাশ প্রযুক্তিতে তার শীর্ষস্থানীয় অবস্থান বজায় রাখার অনুমতি দেবে, SK Hynix এর আগে, যেটি 321-স্তর NAND ফ্ল্যাশ ব্যাপকভাবে উৎপাদন করার পরিকল্পনা ঘোষণা করেছে। Samsung Electronics 2025 সালের ফেব্রুয়ারিতে আন্তর্জাতিক সলিড-স্টেট সার্কিট কনফারেন্সে তার 1Tb ক্ষমতার 400-লেয়ার স্ট্যাকড TLC NAND ফ্ল্যাশ মেমরি বিস্তারিতভাবে চালু করার পরিকল্পনা করেছে এবং 2025 সালের দ্বিতীয়ার্ধে ব্যাপক উৎপাদন শুরু করবে বলে আশা করা হচ্ছে।