Samsung Electronics با موفقیت فناوری حافظه فلش NAND انباشته 400 لایه را توسعه داد

طبق گزارش رسانه های کره ای، سامسونگ الکترونیکس با موفقیت توسعه فناوری حافظه فلش NAND انباشته شده 400 لایه را در موسسه تحقیقاتی نیمه هادی خود به پایان رسانده است. این فناوری به تولید در مقیاس بزرگ در کارخانه شماره 1 پارک پیونگ تاک منتقل شده است. توسعه این فناوری به سامسونگ این امکان را می‌دهد تا جایگاه پیشرو خود را در فناوری NAND Flash حفظ کند، پیش از SK Hynix که برنامه‌های خود را برای تولید انبوه NAND Flash 321 لایه اعلام کرده است. سامسونگ الکترونیکس قصد دارد حافظه فلش TLC NAND با ظرفیت 1 ترابایت خود را با جزئیات در کنفرانس بین المللی مدار حالت جامد در فوریه 2025 معرفی کند و انتظار می رود تولید انبوه آن در نیمه دوم سال 2025 آغاز شود.