Samsung Electronics het 400-laag gestapelde NAND-flitsgeheue-tegnologie suksesvol ontwikkel

Volgens Koreaanse mediaberigte het Samsung Electronics die ontwikkeling van 400-laag gestapelde NAND Flash-geheue-tegnologie in sy halfgeleiernavorsingsinstituut suksesvol voltooi. Hierdie tegnologie is oorgedra na grootskaalse produksie by Pyeongtaek Park Factory No. Die ontwikkeling van hierdie tegnologie sal Samsung in staat stel om sy leidende posisie in NAND Flash-tegnologie te behou, voor SK Hynix, wat planne aangekondig het om 321-laag NAND Flash in massa te vervaardig. Samsung Electronics beplan om sy 1Tb-kapasiteit 400-laag gestapelde TLC NAND-flitsgeheue in detail by die Internasionale Solid-State Circuit Conference in Februarie 2025 bekend te stel, en sal na verwagting in die tweede helfte van 2025 met massaproduksie begin.