Samsung Electronics omoheñói porã tecnología memoria NAND Flash apilado 400 capa rehegua

Péicha he'i marandu medios de comunicación coreano, Samsung Electronics omohu'ã porã desarrollo tecnología memoria NAND Flash apilado 400 capas instituto de investigación semiconductor-pe. Ko tecnología oñembohasa producción tuicha escala-pe, Fábrica No 1 Parque Pyeongtaek-pe. Ko tecnología ñemoheñói rupive Samsung omantene posición de liderazgo tecnología NAND Flash-pe, omotenondévo SK Hynix, oikuaaukáva planes oproduci haguã en masa NAND Flash 321 capas. Samsung Electronics oreko plan omoherakuãvo capacidad 1Tb 400 capas apilado memoria TLC NAND Flash detalle Conferencia Internacional de Circuitos de Estado Sólido jasypokõi 2025, ha oñeha'ãrõ oñepyrü producción masiva mokõiha semestre 2025.