Kotimainen piikarbidisubstraattiteknologia saavuttaa läpimurron

Kotimaassa piikarbidisubstraattiteknologia on tehnyt merkittäviä läpimurtoja. Shandong Tianyue Company, Beijing Tianke Heda Company ja Hebei Tongguang Crystal Company tekivät teknistä yhteistyötä ja muutosta Shandongin yliopiston, Kiinan tiedeakatemian fysiikan instituutin ja Kiinan tiedeakatemian Puolijohteiden instituutin kanssa ja kehittivät onnistuneesti 6 tuuman johtavan SiC-substraatit ja erittäin puhdas puolieristävä piikarbidisubstraatti. Lisäksi kotimaiset yritykset ovat saavuttaneet 4 tuuman substraattien massatuotantoa ja edistyneet 6 tuuman alustojen tutkimuksessa ja kehittämisessä.