Indenlandsk siliciumcarbidsubstratteknologi opnår gennembrud

På hjemmemarkedet har siliciumcarbidsubstratteknologi gjort vigtige gennembrud. Shandong Tianyue Company, Beijing Tianke Heda Company og Hebei Tongguang Crystal Company udførte teknisk samarbejde og transformation med henholdsvis Shandong University, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences og Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, og udviklede med succes 6-tommer ledende SiC-substrater og højrent semi-isolerende SiC-substrat. Derudover har indenlandske virksomheder opnået masseproduktion af 4-tommer substrater og gjort fremskridt i forskning og udvikling af 6-tommer substrater.