La tecnología nacional de sustrato de carburo de silicio logra un gran avance

A nivel nacional, la tecnología de sustratos de carburo de silicio ha logrado avances importantes. Shandong Tianyue Company, Beijing Tianke Heda Company y Hebei Tongguang Crystal Company llevaron a cabo cooperación técnica y transformación con la Universidad de Shandong, el Instituto de Física de la Academia de Ciencias de China y el Instituto de Semiconductores de la Academia de Ciencias de China, respectivamente, y desarrollaron con éxito cables conductores de 6 pulgadas. Sustratos de SiC y sustrato de SiC semiaislante de alta pureza. Además, las empresas nacionales han logrado una producción en masa de sustratos de 4 pulgadas y han avanzado en la investigación y el desarrollo de sustratos de 6 pulgadas.