Domestic Silicium Carbide Substrat Technologie erreecht Duerchbroch

Doheem huet Siliziumkarbid Substrattechnologie wichteg Duerchbroch gemaach. Shandong Tianyue Company, Beijing Tianke Heda Company an Hebei Tongguang Crystal Company respektiv hunn technesch Zesummenaarbecht an Transformatioun mat der Shandong University, Institut fir Physik, Chinesesch Akademie vun de Wëssenschaften, an Institut fir Semiconductors, Chinesesch Akademie vun de Wëssenschaften, an erfollegräich entwéckelt 6-Zoll konduktiv entwéckelt. SiC-Substrat an héich-Reng semi-isoléierend SiC Substrat. Zousätzlech hunn Hausfirmen d'Massproduktioun vu 4-Zoll-Substrate erreecht a Fortschrëtter an der Fuerschung an der Entwécklung vu 6-Zoll-Substrate gemaach.