Domača tehnologija substrata iz silicijevega karbida dosega preboj

Na domačem trgu je tehnologija substrata iz silicijevega karbida naredila pomemben preboj. Shandong Tianyue Company, Beijing Tianke Heda Company in Hebei Tongguang Crystal Company so izvedli tehnično sodelovanje in transformacijo z Univerzo Shandong, Inštitutom za fiziko, Kitajsko akademijo znanosti, oziroma Inštitutom za polprevodnike, Kitajsko akademijo znanosti, ter uspešno razvili 6-palčni prevodni Substrati SiC in polizolacijski substrat SiC visoke čistosti. Poleg tega so domača podjetja dosegla množično proizvodnjo 4-palčnih substratov in napredovala pri raziskavah in razvoju 6-palčnih substratov.