Technologie substrátu z domácího karbidu křemíku dosahuje průlomu

V tuzemsku přinesla technologie substrátů z karbidu křemíku důležité průlomy. Společnosti Shandong Tianyue Company, Beijing Tianke Heda Company a Hebei Tongguang Crystal Company provedly technickou spolupráci a transformaci s univerzitou Shandong, Institute of Physics, Čínské akademie věd a Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences a úspěšně vyvinuly 6palcové vodivé SiC substráty a vysoce čistý poloizolační SiC substrát. Kromě toho tuzemské společnosti dosáhly masové výroby 4palcových substrátů a pokročily ve výzkumu a vývoji 6palcových substrátů.