Teknologi substrat silikon karbida dalam negeri mencapai terobosan

Di dalam negeri, teknologi substrat silikon karbida telah membuat terobosan penting. Perusahaan Shandong Tianyue, Perusahaan Tianke Heda Beijing, dan Perusahaan Kristal Hebei Tongguang masing-masing melakukan kerja sama teknis dan transformasi dengan Universitas Shandong, Institut Fisika, Akademi Ilmu Pengetahuan Tiongkok, dan Institut Semikonduktor, Akademi Ilmu Pengetahuan Tiongkok, dan berhasil mengembangkan konduktif 6 inci Substrat SiC dan substrat SiC semi-isolasi dengan kemurnian tinggi. Selain itu, perusahaan dalam negeri telah mencapai produksi massal substrat 4 inci dan membuat kemajuan dalam penelitian dan pengembangan substrat 6 inci.