فناوری بستر کاربید سیلیکون داخلی دستیابی به موفقیت است

در داخل کشور، فناوری بستر کاربید سیلیکون پیشرفت های مهمی ایجاد کرده است. شرکت Shandong Tianyue، Beijing Tianke Heda و Hebei Tongguang Crystal به ترتیب با دانشگاه شاندونگ، مؤسسه فیزیک، آکادمی علوم چین و مؤسسه نیمه هادی ها، آکادمی علوم چین، همکاری فنی و تحول انجام دادند و رسانایی 6 اینچی را با موفقیت توسعه دادند. بسترهای SiC و زیرلایه SiC نیمه عایق با خلوص بالا. علاوه بر این، شرکت های داخلی به تولید انبوه بسترهای 4 اینچی دست یافته اند و در تحقیق و توسعه زیرلایه های 6 اینچی پیشرفت هایی داشته اند.