Binnelandse silikonkarbied-substraattegnologie behaal deurbraak

Plaaslik het silikonkarbied-substraattegnologie belangrike deurbrake gemaak. Shandong Tianyue Company, Beijing Tianke Heda Company en Hebei Tongguang Crystal Company het onderskeidelik tegniese samewerking en transformasie met die Shandong Universiteit, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences en Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences uitgevoer en 6-duim geleidende SiC-substrate en hoë-suiwer semi-isolerende SiC-substraat. Daarbenewens het binnelandse maatskappye massaproduksie van 4-duim-substrate behaal en vordering gemaak in die navorsing en ontwikkeling van 6-duim-substrate.