Pii domestica carbide substratum technologia consequitur breakthrough .

Pii carbida domestica technologiae subiectae magnas breakthroughs effecit. Shandong Tianyue Societas, Beijing Tianke Heda Societas Hebei Tongguang Crystal Societas technicam cooperationem et transformationem cum Universitate Shandong, Instituto Physicorum, Academia Scientiarum Sinensis, et Instituti Semiconductorum, Academia Scientiarum Sinensium respective, feliciter elaboravit 6-unc conductive SiC substratum et altum puritatem semi-insulating SiC subiecta. Praeterea societates domesticae massam productionem substratorum 4-unciorum consecuti sunt et in investigatione et progressu 6-unc subiectorum progressus fecerunt.