Tecnología sustrato carburo de silicio nacional ohupyty avance

Ogapýpe, tecnología sustrato carburo de silicio ojapo avance importante. Empresa Shandong Tianyue, Pekín Tianke Heda Company ha Hebei Tongguang Crystal Company omotenonde cooperación técnica ha transformación Universidad Shandong, Instituto de Física, Academia China de Ciencias, ha Instituto de Semiconductores, Academia China de Ciencias, respectivamente, ha oñemotenonde porã conductor 6 pulgadas Umi sustrato SiC ha sustrato SiC semiaislante de alta pureza. Avei, umi empresa nacional ohupyty producción masiva sustrato 4 pulgadas ha oñemotenonde investigación ha desarrollo sustrato 6 pulgadas.