Цахиурын карбидын субстрат үйлдвэрлэх үйл явц

Цахиурын карбидын субстратыг үйлдвэрлэх үйл явц нь үндсэндээ дараах үе шатуудыг агуулдаг: Эхнийх нь SiC поликристалл нунтаг болгон нийлэгжүүлэх шаардлагатай: 1: 1 ширхэгийн хэмжээ, цэвэршилт болор чанар. Хоёр дахь нь үрийн талстыг сонгох нь болор өсөлтийн субстрат бөгөөд талст өсөлтийн үндсэн тор бүтцийг бий болгож, мөн талст чанарт нөлөөлдөг. Дараа нь SiC субстрат үйлдвэрлэх үндсэн үйл явц болох талст өсөлт байдаг бөгөөд үүнд физик уур дамжуулах арга, өндөр температурт химийн уурын хуримтлуулах арга, шингэн фазын арга орно. Дараа нь ембүү боловсруулалтыг рентген дан болор чиглүүлэгчээр чиглүүлж, дараа нь нунтаглаж, бөөрөнхийлж, үрийн болор гадаргууг арилгаж, бөмбөрцгийн гадаргууг арилгаж, цахиурын карбидын талстыг стандарт диаметртэй болгож боловсруулдаг. Цахиурын карбидын хатуулгийн хувьд алмазаас хойш хоёрдугаарт ордог бөгөөд энэ нь маш хатуу, хэврэг материал тул ургасан талстыг зүсэж хуваасан болор хайчлах үйл явц байдаг. Зүсэх аргад голчлон зуурмагийн утас хайчлах, алмазан утсаар олон утас хайчлах, лазерын цацрагаар хальслах зэрэг орно. Дараа нь субстратын гадаргууг атомын гөлгөр болгохын тулд нунтаглах, өнгөлөх явдал юм. Сүүлчийн алхам бол вафель цэвэрлэх үзлэг бөгөөд энэ нь боловсруулалтын явцад үлдэгдэл тоосонцор, металлын хольцыг арилгах, чанарын иж бүрэн хяналт шалгалт хийхэд ашиглагддаг.