Διαδικασία παραγωγής υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου

Η διαδικασία παραγωγής του υποστρώματος καρβιδίου του πυριτίου περιλαμβάνει κυρίως τα ακόλουθα βήματα: Το πρώτο είναι η προετοιμασία των πρώτων υλών και το C πρέπει να συντεθούν σε πολυκρυσταλλική σκόνη σωματιδίων σε αναλογία 1:1 την ποιότητα του κρυστάλλου. Το δεύτερο είναι η επιλογή των κρυστάλλων σπόρων Οι κρύσταλλοι σπόρων είναι το υπόστρωμα για την ανάπτυξη των κρυστάλλων, παρέχοντας μια βασική δομή πλέγματος για την ανάπτυξη των κρυστάλλων και επηρεάζοντας επίσης την ποιότητα των κρυστάλλων. Στη συνέχεια, υπάρχει η ανάπτυξη κρυστάλλων, η οποία είναι η βασική διαδικασία της παραγωγής υποστρώματος SiC. Ακολουθεί η επεξεργασία πλινθωμάτων, η οποία προσανατολίζεται μέσω ενός προσανατολισμού μονού κρυστάλλου ακτίνων Χ, στη συνέχεια αλέθεται και στρογγυλοποιείται, αφαιρείται η επιφάνεια κρυστάλλου σπόρων, αφαιρείται η επιφάνεια του θόλου και ο κρύσταλλος καρβιδίου του πυριτίου επεξεργάζεται σε τυπικό μέγεθος διαμέτρου. Στη συνέχεια, υπάρχει η κοπή κρυστάλλων, όπου οι αναπτυσσόμενοι κρύσταλλοι κόβονται σε φύλλα Δεδομένου ότι η σκληρότητα του καρβιδίου του πυριτίου είναι δεύτερη μετά το διαμάντι και είναι ένα εξαιρετικά σκληρό και εύθραυστο υλικό, η διαδικασία κοπής διαρκεί πολύ και είναι εύκολο να τεμαχιστεί. Οι μέθοδοι κοπής περιλαμβάνουν κυρίως την κοπή σύρματος κονιάματος, την κοπή με σύρμα με διαμάντια και το ξεφλούδισμα με ακτινοβολία λέιζερ. Ακολουθεί η λείανση και η στίλβωση της γκοφρέτας για την επεξεργασία της επιφάνειας του υποστρώματος σε ένα ατομικά λειαντικό επίπεδο Τα λειαντικά που χρησιμοποιούνται συνήθως περιλαμβάνουν το καρβίδιο του βορίου, το διαμάντι και άλλα λειαντικά υψηλής σκληρότητας. Το τελευταίο βήμα είναι η επιθεώρηση καθαρισμού γκοφρέτας, η οποία χρησιμοποιείται για την αφαίρεση υπολειμμάτων σωματιδίων και μεταλλικών ακαθαρσιών κατά την επεξεργασία και τη διεξαγωγή ολοκληρωμένου ποιοτικού ελέγχου.